ダイセルは、大阪大学産業科学研究所フレキシブル３Ｄ実装協働研究所と共同で、ＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体向けに新しい接合材料を開発したと発表した。開発したのは銀とシリコンの複合焼結材料で、従来材料と比べて熱衝撃試験時の強度保持率を約２倍...
関連記事
オンセミ、チェコでSiC半導体生産に3200億円を投資
- 2024年6月24日｜自動車部品・素材・サプライヤー
植物原料からブタジエン 日本ゼオンがベンチ設備新設
- 2025年8月18日｜自動車部品・素材・サプライヤー
ダイセルは、大阪大学産業科学研究所フレキシブル３Ｄ実装協働研究所と共同で、ＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体向けに新しい接合材料を開発したと発表した。開発したのは銀とシリコンの複合焼結材料で、従来材料と比べて熱衝撃試験時の強度保持率を約２倍...
