ＢＡＳＦは、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）パワー半導体の樹脂ハウジングに適したポリフタルアミド（ＰＰＡ）を開発したと発表した。 開発したのは「ウルトラミッド・アドバンスドＮ３Ｕ４１Ｇ６」で、電気自動車（ＥＶ）や高速鉄道、再生...
関連記事
ローム、マレーシア工場が完成 アナログICを生産
- 2023年11月21日｜自動車部品・素材・サプライヤー
ミネベアミツミ、日立パワーデバイスを子会社化へ
- 2023年11月6日｜自動車部品・素材・サプライヤー
ＢＡＳＦは、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）パワー半導体の樹脂ハウジングに適したポリフタルアミド（ＰＰＡ）を開発したと発表した。 開発したのは「ウルトラミッド・アドバンスドＮ３Ｕ４１Ｇ６」で、電気自動車（ＥＶ）や高速鉄道、再生...
