ルネサスエレクトロニクスは、回路線幅が１６／１４ナノメートル（１ナノメートルは１０億分の１メートル）世代以降のフラッシュメモリー内蔵マイコンに向けて、フィン構造の立体トランジスターを採用したＳＧ（スプリットゲート）―ＭＯＮＯＳ（金属―酸化...
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