産総研と富士電機、1200ボルト級のSiCトランジスタ開発

 産業技術総合研究所は、富士電機と共同で1200ボルト級のショットキーバリアダイオード(SBD)内蔵の炭化ケイ素(SiC)トランジスタを開発した。ハイブリッド車や電気自動車(EV)に使われるインバーターの性能向上が期待できるとしている。 イ...

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