NEC、閾値制御性向上の窒化ガリウムパワートランジスタを開発

 NECとNECエレクトロニクスは、電流が遮断される閾値電圧の制御性を高めたシリコン(Si)基板上の窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタを開発したと発表した。低電力損失、高速スイッチング、高温動作につながり、DC―DCコンバーターなどの...

ここからは有料記事になります。ログインしてご覧ください。

関連記事